與你淺析潔凈手術(shù)室凈化工程對溫、濕度的要求【東鑫凈化】

潔凈手術(shù)室凈化工程對溫度的要求呈現(xiàn)日益減小的趨勢。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，首先與細胞壁的脂類雙鍵起反應，穿破細胞壁，進入細胞壁內(nèi)，作用于外殼脂蛋白和內(nèi)面的脂多糖，使細胞的通透性發(fā)生改變，最后導致細胞溶解、壞死。

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潔凈手術(shù)室凈化工程對溫、濕度有著特殊的要求，因為冬季醫(yī)生不宜多空衣服，而病人手術(shù)部位要暴露出來，手術(shù)室內(nèi)溫度應比一般房間溫度高些。而夏季室溫過高又會引起醫(yī)生和病人出汗，不利于手術(shù)部位的衛(wèi)生和手術(shù)的順利進行，氣溫過高甚至會引起病人和醫(yī)生中暑，所以夏季手術(shù)室內(nèi)溫度又應比舒適性空調(diào)房間溫度低些。空氣的相對溫度過大過小都會給病人和醫(yī)生帶來不舒適感，相對濕度大還容易給某些細菌提供迅速繁殖的條件并帶來其它危害。因此，根據(jù)國外資料統(tǒng)計，手術(shù)室內(nèi)應保持的空氣溫度：冬季為24～26℃，夏季23～26℃；全年的相對濕度為55%～60。

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潔凈手術(shù)室凈化工程濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。